子夜精品视频在线

聯系電話 18233109877
  • 子夜精品视频在线子夜精品视频在线炭素有限公司
最新公告:
子夜精品视频在线子夜精品视频在线炭素有限公司主要產品:直徑200mm-700mm普通功率,高功率,超高功率石墨電極等。
資訊中心 news 當前位置:子夜精品视频在线首頁>資訊中心>行業新聞
資訊分類
聯系我們
18233109877
地址:
河北省子夜精品视频在线經濟開發區子夜精品视频在线路
手機:
18233109877
手機:
18233109877
電話:
0319-5316888
郵箱:
jcts886888@126.com
資訊中心
石墨坩堝半導體碳化硅單晶材料的發展添加時間:2017/07/07
  摘要:本文回顧了半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史,簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質,對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述,詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。
  關鍵詞:半導體;SiC單晶;物理氣相傳輸法;缺陷;
  1引言
  以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的第一代和第二代半導體材料的高速發展,推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限,這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作,不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。作為第三代寬帶隙半導體材料的代表,碳化硅(SiC)單晶材料具有禁帶寬度大(~Si的3倍)、熱導率高(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、電子飽和遷移速率高(~Si的2.5倍)和擊穿電場高(~Si的10倍或GaAs的5倍)等性質[1-2],如表1所示。SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等極端環境應用領域有著不可替代的優勢[3-7],彌補了傳統半導體材料器件在實際應用中的缺陷,正逐漸成為功率半導體的主流。
  摘要:本文回顧了半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史,簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質,對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述,詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。